是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.7 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A | 最大漏极电流 (ID): | 13.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 54 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB6NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2 | |
STB9NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB14NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.28 Ω typ., 12 A MDmesh⢠| |
STB14NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Powe | |
STB15-0-0 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-1 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-2 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-3 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-4 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-5 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-6 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers | |
STB15-0-7 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |