是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.8 |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW11NM65N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
12A, 650V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | |
IPI65R380C6 | INFINEON |
功能相似 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB15-0-0 | TE |
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STD and STB Markers | |
STB15-0-1 | TE |
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STB15-0-2 | TE |
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STB15-0-3 | TE |
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STB15-0-4 | TE |
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STB15-0-5 | TE |
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STB15-0-6 | TE |
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STB15-0-7 | TE |
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STB15-0-8 | TE |
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STB15-0-9 | TE |
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