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STB150N3LH6

更新时间： 2024-09-18 19:47:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
15页	987K
描述
POWER, FET

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STB150N3LH6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Base Number Matches：	1

STB150N3LH6 数据手册

STB150N3LH6

N-channel 30 V, 2.4 mΩ typ., 80 A, STripFET™ VI DeepGATE™

Power MOSFET in D²PAK package

Datasheet — production data

Features

R_DS(on)

max

(1)

Order code

V_DSS

I_D

P_TOT

STB150N3LH6

30 V

3.0 mΩ

80 A 110 W

1. Current limited by package.

■ 100% avalanche tested

■ Logic level drive

²PAK

Applications

■ Switching applications

Description

Figure 1.

Internal schematic diagram

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the 6^thgeneration of STripFET™

DeepGATE™ technology, with a new gate

structure. The resulting Power MOSFET exhibits

the lowest R_DS(on)in all packages.

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Table 1.

Device summary

Order code

STB150N3LH6

Marking

Package

D²PAK

Packaging

Tape and reel

150N3LH6

July 2012

Doc ID 023351 Rev 1

1/15

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...15

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