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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB5N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N60TM | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 600V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FQB5N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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| FQB5N90_13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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| FQB5N90TM | ROCHESTER |
获取价格 |
5.4A, 900V, 2.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FQB5N90TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，5.4 A，2.3 Ω，D2PAK |
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| FQB5P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQB5P10TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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