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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB55N06TM
FQB55N06TM PDF预览

FQB55N06TM

更新时间： 2024-11-20 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 603K
描述
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FQB55N06TM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：545 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：133 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB55N06TM 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQB55N06 / FQI55N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
55A, 60V, R  
= 0.020Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 35 nC)  
Low Crss ( typical 85 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB55N06 / FQI55N06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
55  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
38.9  
220  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
545  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
55  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.3  
7.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
133  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.89  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.13  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
1234567...9

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