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FQB55N10TM

更新时间： 2024-11-20 12:55:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
9页 1062K
描述
100V N-Channel MOSFET

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FQB55N10TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167419Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：TO263(DDPAK)Samacsys Released Date：2015-04-13 16:43:52
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：155 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB55N10TM 数据手册

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October 2008  
QFET®  
FQB55N10 / FQI55N10  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as audio amplifier,  
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
55A, 100V, R  
= 0.026Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 75 nC)  
Low Crss ( typical 130 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
RoHS Compliant  
•
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB55N10 / FQI55N10  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
55  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
38.9  
220  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
1100  
55  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
15.5  
6.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
155  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.03  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.97  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2008 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, Oct 2008  
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FQB55N10TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB40NF10T4 STMICROELECTRONICS

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FQB5N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
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