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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB40NF10T4
STB40NF10T4 PDF预览

STB40NF10T4

更新时间： 2024-11-02 04:02:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 412K
描述
N-channel 100V - 0.025ヘ - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET

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STB40NF10T4 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.51雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB40NF10T4 数据手册

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STB40NF10  
N-channel 100V - 0.025Ω - 50A - D2PAK  
Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB40NF10  
100V  
<0.028Ω  
50A  
■ Exceptional dv/dt capability  
■ Low gate charge at 100°C  
■ 100% avalanche tested  
3
1
■ Application oriented characterization  
D2PAK  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a  
Internal schematic diagram  
remarkable manufacturing reproducibility.  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STB40NF10T4  
B40NF10  
D2PAK  
Tape & reel  
June 2006  
Rev 12  
1/13  
www.st.com  
13  
1234567...13

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STB40NF10T4 替代型号

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