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STB45N10LT4

更新时间： 2024-09-12 15:53:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 87K
描述
45A, 100V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

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STB45N10LT4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, D2PAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.37雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB45N10LT4 数据手册

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STB45N10L  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.036 Ω  
ID  
STB45N10L  
100 V  
45 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.028 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INPUT CAPACITANCE  
LOW GATE CHARGE  
LOW LEAKAGE CURRENT  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
1
1
CHARACTERIZATION  
I2PAK  
TO-262  
D2PAK  
TO-263  
■
■
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")  
SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)  
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4")  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY (UPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
100  
± 15  
45  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
32  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
180  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
March 1996  
123456

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