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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
20页 | 996K | |
描述 | ||
N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率MOSFET,D2PAK封装 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 2.11 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 42 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB47N50DM6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFE | |
STB47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFE | |
STB4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3 Pow | |
STB4N62K3TRL | STMICROELECTRONICS |
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3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK | |
STB4NB50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESHO MOSFET | |
STB4NB50-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA | |
STB4NB50T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-263AB | |
STB4NB80 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET | |
STB4NB80-1 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
STB4NB80FP | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET |