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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB4NC80ZT4
STB4NC80ZT4 PDF预览

STB4NC80ZT4

更新时间： 2024-11-28 23:34:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 527K
描述
N-CHANNEL 800V 2.4 OHM 4A TO-220 TO-220FP D2PAK I2PAK ZENER PROTECTED POWERMESH III MOSFET

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STB4NC80ZT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：225 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：2.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB4NC80ZT4 数据手册

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STP4NC80Z - STP4NC80ZFP  
STB4NC80Z - STB4NC80Z-1  
N-CHANNEL 800V - 2.4Ω - 4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP4NC80Z/FP  
STB4NC80Z/-1  
800V  
800V  
< 2.8 Ω  
< 2.8 Ω  
4 A  
4 A  
3
1
2
■
■
TYPICAL R (on) = 2.4 Ω  
DS  
3
D PAK  
2
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
3
2
1
2
I PAK  
DESCRIPTION  
(Tabless TO-220)  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)4NC80Z(-1) STP4NC80ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
800  
800  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
4
4(*)  
2.5(*)  
16(*)  
35  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2.5  
16  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
0.8  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current  
±50  
2.5  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt(1)  
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
December 2002  
(1)I ≤4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Pulse width Limited by maximum temperature allowed  
1/13  
.
1234567...13

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与STB4NC80ZT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB4NK60Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D
STB4NK60Z_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Pow
STB4NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D
STB50N25M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 250 V, 0.065 Ω, 28 A, MDmesh V Pow
STB50N65DM6 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package
STB50NE08 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE
STB50NE08T4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
STB50NE10 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB50NE10_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE
STB50NE10L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET

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