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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB55NF06-1
STB55NF06-1 PDF预览

STB55NF06-1

更新时间： 2024-09-14 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 486K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB55NF06-1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：340 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB55NF06-1 数据手册

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STB55NF06 STB55NF06-1  
STP55NF06 STP55NF06FP  
²
N-CHANNEL 60V - 0.015 Ω - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/D²PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
TO-220FP  
STP55NF06  
STB55NF06-1  
STB55NF06  
STP55NF06FP  
60 V  
60 V  
60 V  
60 V  
<0.018 Ω  
<0.018 Ω  
<0.018 Ω  
<0.018 Ω  
50 A  
50 A  
50 A  
50 A(*)  
3
2
3
TO-220  
2
1
1
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.015 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
3
1
3
2
1
²
D PAK  
²
I PAK  
■
THROUGH-HOLE I²PAK (TO-262) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
TO-262  
(Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
This Power MOSFET is the latest development of ST-  
Microelectronis unique "Single Feature Size™" strip-  
based process. The resulting transistor shows ex-  
tremely high packing density for low on-resistance,  
rugged avalanche characteristics and less critical  
alignment steps therefore a remarkable manufactur-  
ing reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP_B55NF06(-1)  
STP55NF06FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
60  
60  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 20  
V
I
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
50  
35  
200  
110  
0.73  
50(*)  
35(*)  
200(*)  
30  
A
A
A
W
W/°C  
V/ns  
mJ  
D
C
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
tot  
C
Derating Factor  
0.2  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
7
dv/dt  
E
350  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(1)  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(*)Refer to soa for the max allowable current value on FP-type due  
to Rth value  
I
≤50A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
(2) Starting  
DD  
o
T = 25 C, I = 25A, V = 30V  
j
D
DD  
March 2003  
1/12  
.
1234567...12

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与STB55NF06-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB55NF06FP ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220FP
STB55NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA
STB55NF06L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA
STB55NF06LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
STB55NF06T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO
STB5600 STMICROELECTRONICS

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 		GPS RF FRONT-END IC
STB5600TR STMICROELECTRONICS

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 		RF/MICROWAVE DOWN CONVERTER, TQFP-32
STB5610 STMICROELECTRONICS

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