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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.7 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB5NA80-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4.7A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 |
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| STB5NA80T4 | STMICROELECTRONICS |
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4.7A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
|
| STB5NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
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| STB5NB60-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
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| STB5NB60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
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| STB5NB80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 1.8ohm - 5A -D2PAK PowerMESH] MOSFET |
|
| STB5NB80T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
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| STB5NC50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PA |
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| STB5NC50-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PA |
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| STB5NC50T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 1.3 OHM - 5.5A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK POWERMESH II MOSFET |
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