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STB5NA80-1

更新时间： 2024-11-30 20:24:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 371K
描述
4.7A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3

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STB5NA80-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 A最大漏极电流 (ID)：4.7 A
最大漏源导通电阻：2.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：19 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB5NA80-1 数据手册

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STB5NA80  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 2.4 Ω  
ID  
STB5NA80  
800 V  
4.7 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.8 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
VERY HIGH CURRENT CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
1
1
CHARACTERIZATION  
■
■
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")  
SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)  
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4")  
I2PAK  
TO-262  
D2PAK  
TO-263  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
800  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
800  
± 30  
4.7  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
3
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
19  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
125  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
March 1996  
1234567...10

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与STB5NA80-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB5NA80T4 STMICROELECTRONICS

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 		4.7A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
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