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STB5NC50

更新时间： 2024-11-29 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 535K
描述
N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET

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STB5NC50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.66
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB5NC50 数据手册

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STP5NC50 - STP5NC50FP  
STB5NC50 - STB5NC50-1  
N-CHANNEL 500V - 1.3Ω - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP5NC50  
STP5NC50FP  
STB5NC50  
500 V  
500 V  
500 V  
500 V  
< 1.5Ω  
< 1.5Ω  
< 1.5Ω  
< 1.5Ω  
5.5A  
5.5A  
5.5A  
5.5A  
3
STB5NC50-1  
1
2
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.3Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
D PAK  
TO-220FP  
TO-220  
3
2
1
2
DESCRIPTION  
I PAK  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP5NC50  
STP5NC50FP  
STB5NC50/-1  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
500  
500  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
5.5  
3.5  
22  
5.5(*)  
3.5(*)  
22  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
0.8  
35  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
3.5  
V
-
2500  
ISO  
T
T
stg  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
-55 to 175  
-65 to 175  
°C  
°C  
j
(*)Limited only by maximum temperature allowed  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤5.5A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
December 2002  
1/12  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB5NC50-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PA
STB5NC50T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 1.3 OHM - 5.5A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK POWERMESH II MOSFET
STB5NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 1.8ohm - 4.6A TO-220/FP/DPA
STB5NC70Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 1.8ohm - 4.6A TO-220/FP/DPA
STB5NC70ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 4.6A TO-220/FP/DPA
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STB5NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK
STB5NK50Z_05 STMICROELECTRONICS

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