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STB50NE08

更新时间： 2024-10-31 22:42:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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8页	97K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET

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STB50NE08 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STB50NE08 数据手册

STB50NE08

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STB50NE08

80 V

<0.024 Ω

50 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.020 Ω

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

100% AVALANCHE TESTED

LOW GATE CHARGE AT 100 ^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■

FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT

SALES OFFICE

D²PAK

TO-263

(suffix ”T4”)

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of

SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size

”

strip-based process. The resulting transistor

shows extremely high packing density for low

on-resistance, rugged avalanche characteristics

and less critical alignment steps therefore a

remarkable manufacturing reproducibility.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SOLENOID AND RELAY DRIVERS

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_DGR

V_GS

I_D

± 20

I_D

_DM(• )

200

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

150

Derating Factor

W/^oC

V/ns

^oC

dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope

T_stg

Storage Temperature

-65 to 175

T_j

Max. Operating Junction Temperature

175

(•) Pulse width limited by safe operating area

(1) I_SD≤ 50 A,di/dt ≤ 300 A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T ≤ T_JMAX

1/8

March 1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB50NE08T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263AB
STB50NE10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB50NE10_06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE
STB50NE10L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB50NE10LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263AB
STB50NE10T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE
STB50NF25	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22
STB50NH02L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET
STB50NH02LT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	50A, 24V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB5105-MB/NS	STMICROELECTRONICS	获取价格	Low-cost interactive set-top box decoder

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