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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 8页 | 97K |  |
| 描述 | ||
| N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET | ||
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB50NE08T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
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| STB50NE10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
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| STB50NE10_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE |
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| STB50NE10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET |
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| STB50NE10LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
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| STB50NE10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE |
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| STB50NF25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22 |
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| STB50NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET |
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| STB50NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50A, 24V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| STB5105-MB/NS | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low-cost interactive set-top box decoder |
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