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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB55NE06
STB55NE06 PDF预览

STB55NE06

更新时间： 2024-11-04 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 100K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET

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STB55NE06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：130 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB55NE06 数据手册

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STB55NE06  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB55NE06  
60 V  
< 0.022 Ω  
55 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.019 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
HIGH dv/dt CAPABILITY  
3
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
1
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
60  
± 20  
55  
V
A
ID  
39  
A
I
DM(• )  
220  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
130  
W
Derating Factor  
0.96  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 55 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/8  
December 1997  
12345678

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STB55NE06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RF1S50N06SM INTERSIL

功能相似

 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
HUF75329S3S FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB55NE06L STMICROELECTRONICS

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STB55NE06LT4 STMICROELECTRONICS

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STB55NE06T4 STMICROELECTRONICS

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 		55A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB55NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET
STB55NF03LT4 ETC

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