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STB55NE06LT4

更新时间： 2024-09-15 14:31:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
55A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

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STB55NE06LT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263, D2PAK-3
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB55NE06LT4 数据手册

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STB55NE06L  
2
N - CHANNEL 60V - 0.018Ω - 55A D PAK  
STripFET  
POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB55NE06L  
60 V  
< 0.022 Ω  
55A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.018 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size ”  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a  
remarkable manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc. )  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
V
± 15  
55  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
39  
A
I
DM(• )  
220  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
130  
W
Derating Factor  
0.86  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 55 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
June 2000  
12345678

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与STB55NE06LT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB55NE06T4 STMICROELECTRONICS

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 		55A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
STB55NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET
STB55NF03L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET
STB55NF03LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
STB55NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STB55NF06_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO
STB55NF06-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STB55NF06FP ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220FP
STB55NF06L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA
STB55NF06L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA

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