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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB55NF03L
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STB55NF03L

更新时间： 2024-09-14 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 340K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET

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STB55NF03L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
最大漏极电流 (ID)：55 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB55NF03L 数据手册

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STP55NF03L  
STB55NF03L STB55NF03L-1  
2
2
N-CHANNEL 30V - 0.01 Ω - 55A TO-220/D PAK/I PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STP55NF03L  
STB55NF03L  
STB55NF03L-1  
30 V  
30 V  
30 V  
<0.013 Ω  
<0.013 Ω  
<0.013 Ω  
55 A  
55 A  
55 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 0.01 Ω  
DS  
3
3
1
2
1
OPTIMIZED FOR HIGH SWITCHING  
OPERATIONS  
2
D PAK  
TO-263  
2
I PAK  
■
■
LOW GATE CHARGE  
TO-262  
LOGIC LEVEL GATE DRIVE  
3
DESCRIPTION  
2
1
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
LOW VOLTAGE DC-DC CONVERTERS  
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
HIGH EFFICIENCY SWITCHING CIRCUITS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
55  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
39  
A
C
I (•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
220  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
80  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.53  
-60 to 175  
175  
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
March 2002  
1/11  
.
1234567...11

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与STB55NF03L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB55NF03L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET
STB55NF03LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
STB55NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STB55NF06_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO
STB55NF06-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STB55NF06FP ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220FP
STB55NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA
STB55NF06L-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PA
STB55NF06LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
STB55NF06T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO

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