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STB50NH02LT4

更新时间： 2024-11-05 20:50:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 415K
描述
50A, 24V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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STB50NH02LT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB50NH02LT4 数据手册

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STB50NH02L  
N-CHANNEL 24V - 0.011 Ω - 50A D²PAK  
STripFET™ III POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STB50NH02L  
24 V  
< 0.0135 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.011 Ω @ 10 V  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.015 Ω @ 5 V  
DS  
R
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK  
DS(ON)  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
3
1
LOW THRESHOLD DEVICE  
²
D PAK  
TO-263  
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
The STB50NH02L utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is  
suitable fot the most demanding DC-DC converter  
applications where high efficiency is to be achieved.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC  
CONVERTERS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB50NH02LT4  
MARKING  
B50NH02L  
PACKAGE  
TO-263  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage Rating  
30  
24  
spike(1)  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
24  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
50  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
36  
A
C
(2)  
I
Drain Current (pulsed)  
200  
60  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.4  
200  
W/°C  
mJ  
(3)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
September 2003  
1/11  
1234567...11

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