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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB50NE10L
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STB50NE10L

更新时间： 2024-10-31 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 53K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET

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STB50NE10L 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB50NE10L 数据手册

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STB50NE10L  
®
2
N - CHANNEL 100V - 0.020Ω - 50A - D PAK  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STB50NE10L  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
100 V  
<0.025 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.020 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE AT 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
D2PAK  
TO-263  
(suffix "T4")  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size " strip-based  
process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
100  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
100  
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
50  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
35  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
200  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
6
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 50 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
June 1998  
12345

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与STB50NE10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB50NE10LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
STB50NE10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE
STB50NF25 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 250V - 0.055ヘ - 45A - D2PAK - TO-22
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 		N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET
STB50NH02LT4 STMICROELECTRONICS

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 		50A, 24V, 0.0135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
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STB55NE06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
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