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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB50NE10
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STB50NE10

更新时间： 2024-09-14 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET

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STB50NE10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB50NE10 数据手册

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STB50NE10  
2
N - CHANNEL 100V - 0.021Ω - 50A - D PAK  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB50NE10  
100 V  
<0.027 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.021 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE AT 100 oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based  
process. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and less critical alignment steps  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
reproducibility.  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
100  
± 20  
50  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
35  
A
I
DM(• )  
200  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
6
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 50 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
December 1998  
12345678

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与STB50NE10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB50NE10_06 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE
STB50NE10L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A - D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB50NE10LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
STB50NE10T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFE
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 		Low-cost interactive set-top box decoder
STB5105-REF/C STMICROELECTRONICS

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 		Low-cost interactive set-top box decoder
STB55NE06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE

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