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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB50NE08T4
STB50NE08T4 PDF预览

STB50NE08T4

更新时间： 2024-11-04 23:34:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 97K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB

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STB50NE08T4 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB50NE08T4 数据手册

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STB50NE08  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB50NE08  
80 V  
<0.024 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.020 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE AT 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size  
”
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a  
remarkable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
80  
V
V
VDGR  
VGS  
ID  
80  
± 20  
V
50  
A
ID  
35  
A
I
DM(• )  
200  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
150  
W
Derating Factor  
1
6
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 50 A,di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, T ≤ TJMAX  
j
1/8  
March 1998  
12345678

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