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STB4NB80FPT4

更新时间： 2024-09-15 21:20:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

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STB4NB80FPT4 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：230 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：3.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB4NB80FPT4 数据手册

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STB4NB80  
®
N - CHANNEL 800V - 3Ω - 4A - TO-220/TO-220FP  
PowerMESH MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB4NB80  
STB4NB80FP  
800 V  
800 V  
3.3 Ω  
3.3 Ω  
4 A  
4 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 3 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
1
1
DESCRIPTION  
D2PAK  
TO-263  
I2PAK  
TO-262  
(Suffix "-1")  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, SGS-Thomson has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
(Suffix "T4")  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STB4NB80FP  
Unit  
STB4NB80  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
800  
800  
± 30  
V
V
V
A
A
A
W
W/oC  
V/ns  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
4
2.4  
16  
100  
1
4(*)  
2.4(*)  
16  
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
35  
Derating Factor  
0.28  
4.5  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
4.5  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
2000  
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤4 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
1/6  
June 1998  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB4NB80T4 ETC

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