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STB4N62K3TRL

更新时间： 2024-09-13 21:14:15

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
19页	1006K
描述
3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3

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STB4N62K3TRL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	620 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	1.95 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15.2 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STB4N62K3TRL 数据手册

STB4N62K3

STD4N62K3

N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3™ Power MOSFET

DPAK, D²PAK

Features

Order codes V_DSSR_DS(on)max

I_D

STB4N62K3

STD4N62K3

620 V

< 2 Ω

3.8 A 70 W

■ 100% avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

D²PAK

DPAK

■ Very low intrinsic capacitance

■ Improved diode reverse recovery

characteristics

■ Zener-protected

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

D(2)

Switching applications

Description

G(1)

These devices are made using the

SuperMESH3™ Power MOSFET technology that

is obtained via improvements applied to

STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology

combined with a new optimized vertical structure.

The resulting product has an extremely low on

resistance, superior dynamic performance and

high avalanche capability, making it especially

suitable for the most demanding applications.

S(3)

AM01476v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

Tape and reel

STB4N62K3

STD4N62K3

D²PAK

DPAK

4N62K3

December 2010

Doc ID 18337 Rev 1

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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与STB4N62K3TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB4NB50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESHO MOSFET
STB4NB50-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.8A I(D) \| TO-262AA
STB4NB50T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.8A I(D) \| TO-263AB
STB4NB80	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET
STB4NB80-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
STB4NB80FP	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET
STB4NB80FPT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
STB4NB80T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-263AB
STB4NC50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A D2PAK PowerMesh⑩
STB4NC60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A D2PAK PowerMes