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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 260 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A | 最大漏极电流 (ID)： | 38 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 152 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB45NF06_10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK S |
|
| STB45NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK |
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| STB45NF06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
|
| STB45NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK |
|
| STB45NF3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220 |
|
| STB45NF3LLT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
|
| STB46N30M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道300 V、0.037 Ohm典型值、53 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STB46N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、68 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET，D2 |
|
| STB46NF30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率M |
|
| STB47N50DM6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFE |
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