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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 1.69 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 222004 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) |
| Samacsys Footprint Name： | D2PAK_STD_ST | Samacsys Released Date： | 2015-11-09 14:24:38 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 135 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A | 最大漏极电流 (ID)： | 38 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 152 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB45NF06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB45NF3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220 |
|
| STB45NF3LLT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
|
| STB46N30M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道300 V、0.037 Ohm典型值、53 A MDmesh M5功率MOSFET， |
|
| STB46N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、68 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET，D2 |
|
| STB46NF30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率M |
|
| STB47N50DM6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFE |
|
| STB47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFE |
|
| STB4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3 Pow |
|
| STB4N62K3TRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK |
|
| STB4NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESHO MOSFET |
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