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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB45NF06L
STB45NF06L PDF预览

STB45NF06L

更新时间： 2024-11-28 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 443K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB45NF06L 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.37Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：135 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A
最大漏极电流 (ID)：38 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB45NF06L 数据手册

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STP45NF06L  
STB45NF06L  
2
N-CHANNEL 60V - 0.022Ω - 38A TO-220 / D PAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP45NF06L  
STB45NF06L  
60 V  
60 V  
< 0.028Ω  
< 0.028Ω  
38 A  
38 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.022Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
LOGIC LEVEL GATE DRIVE  
DS  
3
3
1
2
1
DESCRIPTION  
2
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™” strip-based process. The resulting tran-  
sistor shows extremely high packing density for  
low on-resistance, rugged avalance characteris-  
tics and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
D PAK  
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
60  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±16  
38  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
26  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
152  
80  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.53  
7
W/°C  
V/ns  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤38A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(●) Pulse width limited by safe operating area  
September 2002  
1/10  
1234567...10

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STB45NF06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB45NF06T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB45NF06LT4 ETC

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