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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 15页 | 400K |  |
| 描述 | ||
| 汽车级N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 1.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 800 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 34 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.093 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 pac |
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| STB45NF06 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET |
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| STB45NF06_10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK S |
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| STB45NF06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK |
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| STB45NF06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
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| STB45NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK |
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| STB45NF3LL | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220 |
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| STB45NF3LLT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
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| STB46N30M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道300 V、0.037 Ohm典型值、53 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STB46N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、68 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET，D2 |
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