Datasheet > STB45N65M5

STB45N65M5

更新时间： 2024-09-13 01:19:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
20页	1684K
描述
N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

STB45N65M5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	2.26	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	810 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	210 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STB45N65M5 数据手册

STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5

N-channel 650 V, 0.067 Ω typ., 35 A MDmesh™ V Power MOSFET

in D²PAK, TO-220FP and TO-220 packages

Datasheet −production data

Features

TAB

Order codes V_DSS@ T_JmaxR_DS(on)max

I_D

STB45N65M5

D²PAK

STF45N65M5

STP45N65M5

710 V

0.078 Ω

35 A

TO-220FP

TAB

• Worldwide best R_{DS(on) * area}

• Higher V_DSSrating and high dv/dt capability

• Excellent switching performance

• 100% avalanche tested

TO-220

Applications

Figure 1. Internal schematic diagram

• Switching applications

$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ

Description

These devices are N-channel MDmesh™ V

Power MOSFETs based on an innovative

proprietary vertical process technology, which is

combined with STMicroelectronics’ well-known

PowerMESH™ horizontal layout structure. The

resulting product has extremely low on-

resistance, which is unmatched among silicon-

based Power MOSFETs, making it especially

suitable for applications which require superior

power density and outstanding efficiency.

'ꢅꢁꢈ

3ꢅꢉꢈ

!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ

Table 1. Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB45N65M5

STF45N65M5

STP45N65M5

D²PAK

TO-220FP

TO-220

Tape and reel

45N65M5

Tube

March 2013

DocID022854 Rev 4

1/20

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与STB45N65M5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB45NF06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET
STB45NF06_10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK S
STB45NF06L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK
STB45NF06LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 38A I(D) \| TO-263AB
STB45NF06T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.023 Î©, 38 A TO-220, D2PAK
STB45NF3LL	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220
STB45NF3LLT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 45A I(D) \| TO-263AB
STB46N30M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道300 V、0.037 Ohm典型值、53 A MDmesh M5功率MOSFET，
STB46N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、68 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET，D2
STB46NF30	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率M

与STB45N65M5相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

99
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

113

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STB45N65M5

STB45N65M5 技术参数

STB45N65M5 数据手册

与STB45N65M5相关器件

与STB45N65M5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

STB45N65M5

STB45N65M5 技术参数

STB45N65M5 数据手册

与STB45N65M5相关器件

与STB45N65M5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？