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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB40NS15T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH O |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB40NS15T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH O |
|
| STB416D | SAMHOP |
获取价格 |
Transistor |
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| STB41N40DM6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道400 V、50 mOhm典型值、41 A MDmesh DM6功率MOSFE |
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| STB42N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STB42N65DM5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 650V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK |
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| STB42N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh⢠V P |
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| STB432S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STB434S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STB438S | SAMHOP |
获取价格 |
Transistor |
|
| STB4395 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
CT2 RECEIVER/TRANSMITTER |
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