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STB40NS15T4

更新时间: 2024-02-02 06:54:02
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 322K
描述
N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY™ Power MOSFET

STB40NS15T4 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:D2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):350 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.052 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STB40NS15T4 数据手册

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STB40NS15  
N-channel 150V - 0.045- 40A - D2PAK  
MESH OVERLAY™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
(max)  
Type  
VDSS  
ID  
STB40NS15  
150V  
<0.052  
40A  
Exceptional dv/dt capability  
Gate charge minimized  
1
Very low intrinsic capacitances  
D2PAK  
Applications  
Switching application  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This Power MOSFET is designed using the  
company’s consolidated strip layout-based MESH  
OVERLAY™ process. This technology matches  
and improves the performances compared with  
standard parts from various sources.  
Table 1.  
Device summary  
Part number  
STB40NS15T4  
Marking  
Package  
D2PAK  
Packaging  
B40NF15  
Tape & reel  
October 2007  
Rev 4  
1/13  
www.st.com  
13  

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