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STB45N10L-1

更新时间： 2024-11-29 15:53:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 130K
描述
45A, 100V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3

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STB45N10L-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB45N10L-1 数据手册

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STB45N10L  
2
2
N-CHANNEL 100V - 0.028 Ω - 45A I PAK/D PAK  
POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB45N10L  
100 V  
< 0.036 Ω  
45 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.028 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INPUT CAPACITANCE  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
1
1
2
2
I PAK  
D PAK  
TO-263  
TO-262  
LOW LEAKAGE CURRENT  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
2
■
■
THROUGH-HOLE I PAK (TO-262) POWER  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4)  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY (UPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
100  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±15  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
45  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
32  
A
D
C
I
(•)  
DM  
Drain Current (pulsed)  
180  
A
P
Total Dissipation at T = 25°C  
150  
W
tot  
C
Derating Factor  
1
W/°C  
°C  
°C  
T
stg  
Storage Temperature  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
November 2000  
1/7  
This is preliminary data new product in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567

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与STB45N10L-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB45N10LT4 STMICROELECTRONICS

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 		45A, 100V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
STB45N40DM2AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道400 V、0.063 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOS
STB45N50DM2AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道500 V、0.07 Ohm典型值、35 A MDmesh DM2功率MOSF
STB45N60DM2AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOS
STB45N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 pac
STB45NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET
STB45NF06_10 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK S
STB45NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK
STB45NF06LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB
STB45NF06T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60 V, 0.023 Ω, 38 A TO-220, D2PAK

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