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STB43N65M5

更新时间： 2024-09-13 14:57:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
16页 848K
描述
汽车级N沟道650 V、0.058 Ohm典型值、42 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装

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STB43N65M5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.063 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：168 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB43N65M5 数据手册

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STB43N65M5  
Datasheet  
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ω typ., 42 A MDmesh™ M5  
Power MOSFET in a D²PAK package  
Features  
TAB  
V
R
DS(on)  
max.  
I
D
P
TOT  
Order code  
DS  
STB43N65M5  
650 V  
0.063 Ω  
42 A  
250 W  
2
1
3
•
•
•
•
•
AEC-Q101 qualified  
D²  
PAK  
Extremely low RDS(on)  
Low gate charge and input capacitance  
Excellent switching performance  
100% avalanche tested  
D(2, TAB)  
Applications  
•
Switching applications  
G(1)  
Description  
S(3)  
This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative  
vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal  
layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly  
suitable for applications requiring high power and superior efficiency.  
AM01475v1_noZen  
Product status link  
STB43N65M5  
Product summary  
Order code  
Marking  
STB43N65M5  
43N65M5  
D²PAK  
Package  
Packing  
Tape and reel  
DS11173 - Rev 2 - November 2018  
For further information contact your local STMicroelectronics sales office.  
www.st.com  
1234567...16

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