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FQB47P06TM_AM002 PDF预览

FQB47P06TM_AM002

更新时间： 2024-10-02 21:21:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 1237K
描述
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3

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FQB47P06TM_AM002 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：820 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A最大漏极电流 (ID)：47 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：188 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB47P06TM_AM002 数据手册

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November 2013  
FQB47P06  
P-Channel QFET® MOSFET  
-60 V, -47 A, 26 mΩ  
Description  
Features  
• -47 A, -60 V, RDS(on) = 26 mΩ (Max.) @ VGS = .10 V,  
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, audio amplifier,  
DC motor control, and variable switching power applications.  
ID = -23.5 A  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 84 nC)  
Low Crss (Typ. 320 pF)  
100% Avalanche Tested  
175°C Maximum Junction Temperature Rating  
S
D
G
G
D2-PAK  
S
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQB47P06TM_AM002  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
-60  
-47  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
A
-33.2  
-188  
± 25  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
820  
mJ  
A
-47  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C) *  
16  
mJ  
V/ns  
W
-7.0  
3.75  
160  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
W
- Derate above 25°C  
1.06  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Unit  
FQB47P06TM_AM002  
RJC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
0.94  
62.5  
40  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Minimum Pad of 2-oz Copper), Max.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (*1 in2 Pad of 2-oz Copper), Max.  
oC/W  
www.fairchildsemi.com  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQB47P06 Rev. C1  
1
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FQB47P06TM_AM002 替代型号

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