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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 52 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 52 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQB6N25TM | FAIRCHILD |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQB4N25TM | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB4N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQB4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQB4N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQB4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N80TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
|
| FQB4N80TM | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 800V，3.9A，3.6Ω |
|
| FQB4N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
|
| FQB4P25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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