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FQB4N25TM PDF预览

FQB4N25TM

更新时间: 2024-10-02 13:07:51
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 721K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

FQB4N25TM 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
雪崩能效等级(Eas):52 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.6 A最大漏极电流 (ID):3.6 A
最大漏源导通电阻:1.75 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):52 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):14.4 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQB4N25TM 数据手册

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FQB4N25TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQB6N25TM FAIRCHILD

类似代替

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQB4N25 FAIRCHILD

功能相似

250V N-Channel MOSFET

与FQB4N25TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB4N50 FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
FQB4N50TM FAIRCHILD

获取价格

暂无描述
FQB4N60 FAIRCHILD

获取价格

600V N-Channel MOSFET
FQB4N80 FAIRCHILD

获取价格

800V N-Channel MOSFET
FQB4N80TM FAIRCHILD

获取价格

N-Channel QFET MOSFET
FQB4N80TM ONSEMI

获取价格

N 沟道 QFET® MOSFET 800V,3.9A,3.6Ω
FQB4N90 FAIRCHILD

获取价格

900V N-Channel MOSFET
FQB4P25 FAIRCHILD

获取价格

250V P-Channel MOSFET
FQB4P25TM FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FQB4P40 FAIRCHILD

获取价格

400V P-Channel MOSFET