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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 52 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB4N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB4N20TM | ROCHESTER |
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3.6A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FQB4N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQB4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQB4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQB4N80TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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