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FQB45N15V2

更新时间： 2024-10-01 22:09:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 669K
描述
150V N-Channel MOSFET

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FQB45N15V2 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：1124 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：220 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB45N15V2 数据手册

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®
QFET  
FQB45N15V2/FQI45N15V2  
150V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for DC to DC converters, sychronous rectification,  
and other applications lowest Rds(on) is required.  
•
•
•
•
•
•
45A, 150V, R  
= 0.04Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 72 nC)  
Low Crss ( typical 135 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
"
G !  
I2-PAK  
FQI Series  
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
!
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB45N15V2/FQI45N15V2  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
150  
45  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
31  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
180  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
1124  
45  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
22  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
220  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.47  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics * When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
0.68  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
θJC  
--  
θJA  
--  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2003  
1234567...9

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与FQB45N15V2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB45N15V2TM ROCHESTER

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 		45A, 150V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, D2PAK-3
FQB46N15 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET
FQB46N15TM ROCHESTER

获取价格

 		45.6A, 150V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3
FQB47P06 FAIRCHILD

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 		60V P-Channel MOSFET
FQB47P06TM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQB47P06TM_AM002 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQB47P06TM-AM002 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-47 A，26 mΩ，D2PAK
FQB4N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQB4N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB4N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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