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FQB45N15V2TM

更新时间: 2024-11-02 20:53:59
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1487K
描述
45A, 150V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, D2PAK-3

FQB45N15V2TM 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:LEAD FREE, D2PAK-3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.37
雪崩能效等级(Eas):1124 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):45 A最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):180 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQB45N15V2TM 数据手册

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