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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1124 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 45 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB46N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQB46N15TM | ROCHESTER |
获取价格 |
45.6A, 150V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3 |
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| FQB47P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQB47P06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQB47P06TM_AM002 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-47 A，26 mΩ，D2PAK |
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| FQB4N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQB4N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQB4N20LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQB4N20TM | ROCHESTER |
获取价格 |
3.6A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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