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FQB44N10

更新时间： 2024-11-19 22:15:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 641K
描述
100V N-Channel MOSFET

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FQB44N10 数据手册

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June 2000  
TM  
QFET  
FQB44N10 / FQI44N10  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as audio amplifier,  
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
43.5A, 100V, R  
= 0.039Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 48 nC)  
Low Crss ( typical 85 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB44N10 / FQI44N10  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
43.5  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
30.8  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
174  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
530  
mJ  
A
AS  
43.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14.6  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
146  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.97  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.03  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, June 2000  
1234567...9

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FQB44N10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQB44N10TM ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，43.5 A，52 mΩ，D2PAK
FQB44N10TM_NL FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB44N10TM ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，43.5 A，52 mΩ，D2PAK
FQB44N10TM_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FQB45N03L FAIRCHILD

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 		30V LOGIC N-Channel MOSFET
FQB45N03LTM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQB45N15V2 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FQB45N15V2TM ROCHESTER

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 		45A, 150V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, D2PAK-3
FQB46N15 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FQB46N15TM ROCHESTER

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 		45.6A, 150V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3
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 		60V P-Channel MOSFET
FQB47P06TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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