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FQB44N10TM_NL

更新时间： 2024-11-20 20:58:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 672K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3

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FQB44N10TM_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
雪崩能效等级（Eas）：530 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：43.5 A最大漏极电流 (ID)：43.5 A
最大漏源导通电阻：0.039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：146 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：174 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB44N10TM_NL 数据手册

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June 2000  
TM  
QFET  
FQB44N10 / FQI44N10  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as audio amplifier,  
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
43.5A, 100V, R  
= 0.039Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 48 nC)  
Low Crss ( typical 85 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB44N10 / FQI44N10  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
43.5  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
30.8  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
174  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
530  
mJ  
A
AS  
43.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14.6  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
146  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.97  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.03  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, June 2000  
1234567...11

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FQB44N10TM_NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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