5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB3N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQB3N80TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQB3N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQB3P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQB3P20TM | ROCHESTER |
获取价格 |
2.8A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
|
| FQB3P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
|
| FQB3P50TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FQB44N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQB44N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQB44N10TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，43.5 A，52 mΩ，D2PAK |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
