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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB34P10
FQB34P10 PDF预览

FQB34P10

更新时间： 2024-10-31 22:13:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 718K
描述
100V P-Channel MOSFET

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FQB34P10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
雪崩能效等级（Eas）：2200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：33.5 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：134 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB34P10 数据手册

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®
QFET  
FQB34P10 / FQI34P10  
100V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
-33.5A, -100V, R  
= 0.06Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 85 nC)  
Low Crss ( typical 170 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as audio amplifier,  
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
S
!
D
●
●
G
!
▶
▲
●
I2-PAK  
FQI Series  
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
G D S  
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB34P10 / FQI34P10  
Units  
V
A
A
A
V
I
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
-100  
-33.5  
-23.5  
-134  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
DM  
V
E
I
E
dv/dt  
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
± 25  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
2200  
-33.5  
15.5  
-6.0  
3.75  
AR  
AR  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
155  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.03  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
--  
Max  
0.97  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, June 2004  
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FQB34P10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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