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PSMN063-150D

更新时间: 2024-09-13 22:06:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 262K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

PSMN063-150D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-252AA
包装说明:PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.15Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):502 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):29 A最大漏极电流 (ID):29 A
最大漏源导通电阻:0.063 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):116 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PSMN063-150D 数据手册

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PSMN063-150D  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 03 — 31 October 2001  
Product data  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS1 technology.  
Product availability:  
PSMN063-150D in SOT428 (D-PAK).  
1.2 Features  
TrenchMOS™ technology  
Fast Switching  
Very low on-state resistance  
Low thermal resistance  
1.3 Applications  
DC to DC converters  
Switched mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
VDS = 150 V  
Ptot = 150 W  
ID = 29 A  
RDSon 63 mΩ  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
d
[1]  
2
drain (d)  
3
source (s)  
g
mb  
connected to drain (d)  
s
MBB076  
2
1
3
Top view  
MBK091  
[1] It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT428 package.  
1. TrenchMOS™ is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.  

PSMN063-150D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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