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PSMN063-150D,118 PDF预览

PSMN063-150D,118

更新时间： 2024-09-14 19:25:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 106K
描述
PSMN063-150D - N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin

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PSMN063-150D,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DPAK包装说明：PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.16雪崩能效等级（Eas）：502 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A
最大漏极电流 (ID)：29 A最大漏源导通电阻：0.063 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：116 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN063-150D,118 数据手册

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PSMN063-150D  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 03 — 31 October 2001  
Product data  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS1 technology.  
Product availability:  
PSMN063-150D in SOT428 (D-PAK).  
1.2 Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Fast Switching  
■ Very low on-state resistance  
■ Low thermal resistance  
1.3 Applications  
■ DC to DC converters  
■ Switched mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
■ VDS = 150 V  
■ Ptot = 150 W  
■ ID = 29 A  
■ RDSon ≤ 63 mΩ  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
d
[1]  
2
drain (d)  
3
source (s)  
g
mb  
connected to drain (d)  
s
MBB076  
2
1
3
Top view  
MBK091  
[1] It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT428 package.  
1. TrenchMOS™ is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.  
 
 
 
 
 
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PSMN063-150D,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PSMN063-150D NXP

完全替代

 N-channel enhancement mode field-effect transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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