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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.72 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 24 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0724 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN069-100YS,115 | NXP |
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PSMN069-100YS - N-channel LFPAK 100 V 72.4 mΩ |
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| PSMN070-200B | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN070-200B,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| PSMN070-200B/T3 | NXP |
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暂无描述 |
|
| PSMN070-200P | NXP |
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N-channel TrenchMOS transistor |
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| PSMN070-200P,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin |
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| PSMN071-100NSE | NEXPERIA |
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N-channel 100 V, 81 mOhm standard level ‘ASFE |
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| PSMN072-100MSE | NEXPERIA |
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N-channel 100 V 76 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in LFPAK33. Designed specif |
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| PSMN075-100MSE | NXP |
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N-channel 100 V 71 m standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for PoE applic |
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| PSMN075-100MSE | NEXPERIA |
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N-channel 100 V 71 mΩ standard level MOSFET i |
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