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PSMN059-150Y,115 PDF预览

PSMN059-150Y,115

更新时间： 2024-09-14 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 182K
描述
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin

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PSMN059-150Y,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, LFPAK-5
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.76雪崩能效等级（Eas）：255 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：43 A
最大漏极电流 (ID)：43 A最大漏源导通电阻：0.059 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：113 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：129 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN059-150Y,115 数据手册

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PSMN059-150Y  
AK  
LFP  
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET  
Rev. 03 — 17 March 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in  
a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for  
use in computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
„ Higher operating power due to low  
„ Suitable for high frequency  
applications due to fast switching  
characteristics  
thermal resistance  
1.3 Applications  
„ Class D amplifier  
„ Motion control  
„ DC-to-DC converters  
„ Switched-mode power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 150 °C  
-
-
-
-
150  
43  
V
A
ID  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1; see Figure 3  
Ptot  
total power dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
113  
59  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 12 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 9;  
see Figure 10  
46  
mΩ  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 12 A;  
-
9.1  
-
nC  
VDS = 75 V; see Figure 11;  
see Figure 12  
 
 
 
 
 
1234567...13

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PSMN059-150Y,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PSMN059-150Y NXP

完全替代

 N-channel TrenchMOS standard level FET

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