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PSMN045-80YS

更新时间： 2024-09-08 06:05:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
14页	256K
描述
N-channel LFPAK 80 V 45 mΩ standard level MOSFET

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PSMN045-80YS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	18 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	86 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN045-80YS 数据手册

PSMN045-80YS

N-channel LFPAK 80 V 45 mΩ standard level MOSFET

Rev. 01 — 19 March 2010

Objective data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V

T_mb= 25 °C; see Figure 2

P_tot

total power

dissipation

T_j

junction temperature

-55

175

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 22 A; V_sup≤ 80 V;

R_GS= 50 Ω; unclamped

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 40 V;

see Figure 14 and 15

3.1

Q_G(tot)

12.5

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PSMN057-200B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin
PSMN057-200B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 39 A, 200 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gen
PSMN057-200P	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS transistor
PSMN057-200P	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction
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