是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | PLASTIC, SC-46, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.17 | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 39 A |
最大漏极电流 (ID): | 39 A | 最大漏源导通电阻: | 0.057 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 156 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PSMN057-200P,127 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin | |
PSMN057-200P_11 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET | |
PSMN059-150Y | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET | |
PSMN059-150Y | NEXPERIA |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction | |
PSMN059-150Y,115 | NXP |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin | |
PSMN063-150 | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor | |
PSMN063-150D | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor | |
PSMN063-150D,118 | NXP |
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PSMN063-150D - N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin | |
PSMN063-150D/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 29 A, 150 V, 0.063 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, SC-63, | |
PSMN069-100YS | NXP |
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N-channel LFPAK 100 V 72.4 mΩ standard level |