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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 255 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 43 A | 最大漏源导通电阻： | 0.059 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-235 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 129 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN059-150Y,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 4-Pin |
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| PSMN063-150 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN063-150D | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| PSMN063-150D,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN063-150D - N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET DPAK 3-Pin |
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| PSMN063-150D/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 29 A, 150 V, 0.063 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, SC-63, |
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| PSMN069-100YS | NXP |
获取价格 |
N-channel LFPAK 100 V 72.4 mΩ standard level |
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| PSMN069-100YS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel LFPAK 100 V 72.4 mΩ standard level |
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| PSMN069-100YS,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN069-100YS - N-channel LFPAK 100 V 72.4 mΩ |
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| PSMN070-200B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor |
|
| PSMN070-200B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET D2PAK 3-Pin |
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